SIR802DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Artikelnummer
SIR802DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
4.6W (Ta), 27.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1785pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54034 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIR802DP-T1-GE3
SIR802DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIR802DP-T1-GE3 Försäljning
SIR802DP-T1-GE3 Leverantör
SIR802DP-T1-GE3 Distributör
SIR802DP-T1-GE3 Datatabell
SIR802DP-T1-GE3 Foton
SIR802DP-T1-GE3 Pris
SIR802DP-T1-GE3 Erbjudande
SIR802DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIR802DP-T1-GE3 Sök
SIR802DP-T1-GE3 Köp av
SIR802DP-T1-GE3 Chip