SIR800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Artikelnummer
SIR800DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
133nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5125pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27675 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIR800DP-T1-GE3
SIR800DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIR800DP-T1-GE3 Försäljning
SIR800DP-T1-GE3 Leverantör
SIR800DP-T1-GE3 Distributör
SIR800DP-T1-GE3 Datatabell
SIR800DP-T1-GE3 Foton
SIR800DP-T1-GE3 Pris
SIR800DP-T1-GE3 Erbjudande
SIR800DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIR800DP-T1-GE3 Sök
SIR800DP-T1-GE3 Köp av
SIR800DP-T1-GE3 Chip