SIR800ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8
Artikelnummer
SIR800ADP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50.2A (Ta), 177A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.35 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3415pF @ 10V
Vgs (max)
+12V, -8V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35352 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIR800ADP-T1-GE3
SIR800ADP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIR800ADP-T1-GE3 Försäljning
SIR800ADP-T1-GE3 Leverantör
SIR800ADP-T1-GE3 Distributör
SIR800ADP-T1-GE3 Datatabell
SIR800ADP-T1-GE3 Foton
SIR800ADP-T1-GE3 Pris
SIR800ADP-T1-GE3 Erbjudande
SIR800ADP-T1-GE3 Lägsta pris
SIR800ADP-T1-GE3 Sök
SIR800ADP-T1-GE3 Köp av
SIR800ADP-T1-GE3 Chip