Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF840STRRPBF

IRF840STRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Artikelnummer
IRF840STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20608 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRF840STRRPBF
IRF840STRRPBF Elektroniska komponenter
IRF840STRRPBF Försäljning
IRF840STRRPBF Leverantör
IRF840STRRPBF Distributör
IRF840STRRPBF Datatabell
IRF840STRRPBF Foton
IRF840STRRPBF Pris
IRF840STRRPBF Erbjudande
IRF840STRRPBF Lägsta pris
IRF840STRRPBF Sök
IRF840STRRPBF Köp av
IRF840STRRPBF Chip