IRF8010SPBF
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Artikelnummer
IRF8010SPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
260W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3830pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28677 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8010SPBF
IRF8010SPBF Elektroniska komponenter
IRF8010SPBF Försäljning
IRF8010SPBF Leverantör
IRF8010SPBF Distributör
IRF8010SPBF Datatabell
IRF8010SPBF Foton
IRF8010SPBF Pris
IRF8010SPBF Erbjudande
IRF8010SPBF Lägsta pris
IRF8010SPBF Sök
IRF8010SPBF Köp av
IRF8010SPBF Chip