IRF8010STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Artikelnummer
IRF8010STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
260W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3830pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29592 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8010STRRPBF
IRF8010STRRPBF Elektroniska komponenter
IRF8010STRRPBF Försäljning
IRF8010STRRPBF Leverantör
IRF8010STRRPBF Distributör
IRF8010STRRPBF Datatabell
IRF8010STRRPBF Foton
IRF8010STRRPBF Pris
IRF8010STRRPBF Erbjudande
IRF8010STRRPBF Lägsta pris
IRF8010STRRPBF Sök
IRF8010STRRPBF Köp av
IRF8010STRRPBF Chip