IRF8010PBF
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
Artikelnummer
IRF8010PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
260W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3830pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46025 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8010PBF
IRF8010PBF Elektroniska komponenter
IRF8010PBF Försäljning
IRF8010PBF Leverantör
IRF8010PBF Distributör
IRF8010PBF Datatabell
IRF8010PBF Foton
IRF8010PBF Pris
IRF8010PBF Erbjudande
IRF8010PBF Lägsta pris
IRF8010PBF Sök
IRF8010PBF Köp av
IRF8010PBF Chip