Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF8010STRLPBF

IRF8010STRLPBF

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Artikelnummer
IRF8010STRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
260W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3830pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32390 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRF8010STRLPBF
IRF8010STRLPBF Elektroniska komponenter
IRF8010STRLPBF Försäljning
IRF8010STRLPBF Leverantör
IRF8010STRLPBF Distributör
IRF8010STRLPBF Datatabell
IRF8010STRLPBF Foton
IRF8010STRLPBF Pris
IRF8010STRLPBF Erbjudande
IRF8010STRLPBF Lägsta pris
IRF8010STRLPBF Sök
IRF8010STRLPBF Köp av
IRF8010STRLPBF Chip