IRF840AL
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
Artikelnummer
IRF840AL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1018pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42024 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF840AL
IRF840AL Elektroniska komponenter
IRF840AL Försäljning
IRF840AL Leverantör
IRF840AL Distributör
IRF840AL Datatabell
IRF840AL Foton
IRF840AL Pris
IRF840AL Erbjudande
IRF840AL Lägsta pris
IRF840AL Sök
IRF840AL Köp av
IRF840AL Chip