IRF830STRR
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Artikelnummer
IRF830STRR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27669 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF830STRR
IRF830STRR Elektroniska komponenter
IRF830STRR Försäljning
IRF830STRR Leverantör
IRF830STRR Distributör
IRF830STRR Datatabell
IRF830STRR Foton
IRF830STRR Pris
IRF830STRR Erbjudande
IRF830STRR Lägsta pris
IRF830STRR Sök
IRF830STRR Köp av
IRF830STRR Chip