IRF830PBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
Artikelnummer
IRF830PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13458 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF830PBF
IRF830PBF Elektroniska komponenter
IRF830PBF Försäljning
IRF830PBF Leverantör
IRF830PBF Distributör
IRF830PBF Datatabell
IRF830PBF Foton
IRF830PBF Pris
IRF830PBF Erbjudande
IRF830PBF Lägsta pris
IRF830PBF Sök
IRF830PBF Köp av
IRF830PBF Chip