IRF830LPBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
Artikelnummer
IRF830LPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262-3
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9220 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF830LPBF
IRF830LPBF Elektroniska komponenter
IRF830LPBF Försäljning
IRF830LPBF Leverantör
IRF830LPBF Distributör
IRF830LPBF Datatabell
IRF830LPBF Foton
IRF830LPBF Pris
IRF830LPBF Erbjudande
IRF830LPBF Lägsta pris
IRF830LPBF Sök
IRF830LPBF Köp av
IRF830LPBF Chip