IRF830ALPBF
MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
Artikelnummer
IRF830ALPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18135 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF830ALPBF
IRF830ALPBF Elektroniska komponenter
IRF830ALPBF Försäljning
IRF830ALPBF Leverantör
IRF830ALPBF Distributör
IRF830ALPBF Datatabell
IRF830ALPBF Foton
IRF830ALPBF Pris
IRF830ALPBF Erbjudande
IRF830ALPBF Lägsta pris
IRF830ALPBF Sök
IRF830ALPBF Köp av
IRF830ALPBF Chip