IRF830AL
MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
Artikelnummer
IRF830AL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44793 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF830AL
IRF830AL Elektroniska komponenter
IRF830AL Försäljning
IRF830AL Leverantör
IRF830AL Distributör
IRF830AL Datatabell
IRF830AL Foton
IRF830AL Pris
IRF830AL Erbjudande
IRF830AL Lägsta pris
IRF830AL Sök
IRF830AL Köp av
IRF830AL Chip