IRF830A
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
Artikelnummer
IRF830A
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38223 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF830A
IRF830A Elektroniska komponenter
IRF830A Försäljning
IRF830A Leverantör
IRF830A Distributör
IRF830A Datatabell
IRF830A Foton
IRF830A Pris
IRF830A Erbjudande
IRF830A Lägsta pris
IRF830A Sök
IRF830A Köp av
IRF830A Chip