Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF820STRR

IRF820STRR

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Artikelnummer
IRF820STRR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6117 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRF820STRR
IRF820STRR Elektroniska komponenter
IRF820STRR Försäljning
IRF820STRR Leverantör
IRF820STRR Distributör
IRF820STRR Datatabell
IRF820STRR Foton
IRF820STRR Pris
IRF820STRR Erbjudande
IRF820STRR Lägsta pris
IRF820STRR Sök
IRF820STRR Köp av
IRF820STRR Chip