IRF820S
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Artikelnummer
IRF820S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51043 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF820S
IRF820S Elektroniska komponenter
IRF820S Försäljning
IRF820S Leverantör
IRF820S Distributör
IRF820S Datatabell
IRF820S Foton
IRF820S Pris
IRF820S Erbjudande
IRF820S Lägsta pris
IRF820S Sök
IRF820S Köp av
IRF820S Chip