IRF820PBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
Artikelnummer
IRF820PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25186 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF820PBF
IRF820PBF Elektroniska komponenter
IRF820PBF Försäljning
IRF820PBF Leverantör
IRF820PBF Distributör
IRF820PBF Datatabell
IRF820PBF Foton
IRF820PBF Pris
IRF820PBF Erbjudande
IRF820PBF Lägsta pris
IRF820PBF Sök
IRF820PBF Köp av
IRF820PBF Chip