Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF820L
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
Artikelnummer
IRF820L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19940 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF820L
IRF820L Elektroniska komponenter
IRF820L Försäljning
IRF820L Leverantör
IRF820L Distributör
IRF820L Datatabell
IRF820L Foton
IRF820L Pris
IRF820L Erbjudande
IRF820L Lägsta pris
IRF820L Sök
IRF820L Köp av
IRF820L Chip