IRF820ALPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
Artikelnummer
IRF820ALPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22897 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF820ALPBF
IRF820ALPBF Elektroniska komponenter
IRF820ALPBF Försäljning
IRF820ALPBF Leverantör
IRF820ALPBF Distributör
IRF820ALPBF Datatabell
IRF820ALPBF Foton
IRF820ALPBF Pris
IRF820ALPBF Erbjudande
IRF820ALPBF Lägsta pris
IRF820ALPBF Sök
IRF820ALPBF Köp av
IRF820ALPBF Chip