IRF820A
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
Artikelnummer
IRF820A
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27970 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF820A
IRF820A Elektroniska komponenter
IRF820A Försäljning
IRF820A Leverantör
IRF820A Distributör
IRF820A Datatabell
IRF820A Foton
IRF820A Pris
IRF820A Erbjudande
IRF820A Lägsta pris
IRF820A Sök
IRF820A Köp av
IRF820A Chip