APT14M100B
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
Artikelnummer
APT14M100B
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 [B]
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3965pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46204 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT14M100B
APT14M100B Elektroniska komponenter
APT14M100B Försäljning
APT14M100B Leverantör
APT14M100B Distributör
APT14M100B Datatabell
APT14M100B Foton
APT14M100B Pris
APT14M100B Erbjudande
APT14M100B Lägsta pris
APT14M100B Sök
APT14M100B Köp av
APT14M100B Chip