APT1001RBN
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Artikelnummer
APT1001RBN
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS IV®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AD
Effektförlust (max)
310W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2950pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50396 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT1001RBN
APT1001RBN Elektroniska komponenter
APT1001RBN Försäljning
APT1001RBN Leverantör
APT1001RBN Distributör
APT1001RBN Datatabell
APT1001RBN Foton
APT1001RBN Pris
APT1001RBN Erbjudande
APT1001RBN Lägsta pris
APT1001RBN Sök
APT1001RBN Köp av
APT1001RBN Chip