APT1001R1BN
MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
Artikelnummer
APT1001R1BN
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS IV®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AD
Effektförlust (max)
310W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2950pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37761 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT1001R1BN
APT1001R1BN Elektroniska komponenter
APT1001R1BN Försäljning
APT1001R1BN Leverantör
APT1001R1BN Distributör
APT1001R1BN Datatabell
APT1001R1BN Foton
APT1001R1BN Pris
APT1001R1BN Erbjudande
APT1001R1BN Lägsta pris
APT1001R1BN Sök
APT1001R1BN Köp av
APT1001R1BN Chip