APT10035B2LLG
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Artikelnummer
APT10035B2LLG
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 7®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
T-MAX™ [B2]
Effektförlust (max)
690W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
186nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5185pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23353 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT10035B2LLG
APT10035B2LLG Elektroniska komponenter
APT10035B2LLG Försäljning
APT10035B2LLG Leverantör
APT10035B2LLG Distributör
APT10035B2LLG Datatabell
APT10035B2LLG Foton
APT10035B2LLG Pris
APT10035B2LLG Erbjudande
APT10035B2LLG Lägsta pris
APT10035B2LLG Sök
APT10035B2LLG Köp av
APT10035B2LLG Chip