Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
APT1002RBNG
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
Artikelnummer
APT1002RBNG
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS IV®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AD
Effektförlust (max)
240W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16625 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT1002RBNG
APT1002RBNG Elektroniska komponenter
APT1002RBNG Försäljning
APT1002RBNG Leverantör
APT1002RBNG Distributör
APT1002RBNG Datatabell
APT1002RBNG Foton
APT1002RBNG Pris
APT1002RBNG Erbjudande
APT1002RBNG Lägsta pris
APT1002RBNG Sök
APT1002RBNG Köp av
APT1002RBNG Chip