APT11F80B
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
Artikelnummer
APT11F80B
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 [B]
Effektförlust (max)
337W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2471pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11915 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT11F80B
APT11F80B Elektroniska komponenter
APT11F80B Försäljning
APT11F80B Leverantör
APT11F80B Distributör
APT11F80B Datatabell
APT11F80B Foton
APT11F80B Pris
APT11F80B Erbjudande
APT11F80B Lägsta pris
APT11F80B Sök
APT11F80B Köp av
APT11F80B Chip