IXFX80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
Artikelnummer
IXFX80N50Q3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
1250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29678 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX80N50Q3
IXFX80N50Q3 Elektroniska komponenter
IXFX80N50Q3 Försäljning
IXFX80N50Q3 Leverantör
IXFX80N50Q3 Distributör
IXFX80N50Q3 Datatabell
IXFX80N50Q3 Foton
IXFX80N50Q3 Pris
IXFX80N50Q3 Erbjudande
IXFX80N50Q3 Lägsta pris
IXFX80N50Q3 Sök
IXFX80N50Q3 Köp av
IXFX80N50Q3 Chip