IXFX120N25
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
Artikelnummer
IXFX120N25
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
560W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
400nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34710 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX120N25
IXFX120N25 Elektroniska komponenter
IXFX120N25 Försäljning
IXFX120N25 Leverantör
IXFX120N25 Distributör
IXFX120N25 Datatabell
IXFX120N25 Foton
IXFX120N25 Pris
IXFX120N25 Erbjudande
IXFX120N25 Lägsta pris
IXFX120N25 Sök
IXFX120N25 Köp av
IXFX120N25 Chip