IXFX120N20
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Artikelnummer
IXFX120N20
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
560W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43358 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX120N20
IXFX120N20 Elektroniska komponenter
IXFX120N20 Försäljning
IXFX120N20 Leverantör
IXFX120N20 Distributör
IXFX120N20 Datatabell
IXFX120N20 Foton
IXFX120N20 Pris
IXFX120N20 Erbjudande
IXFX120N20 Lägsta pris
IXFX120N20 Sök
IXFX120N20 Köp av
IXFX120N20 Chip