IXFX100N25
MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247
Artikelnummer
IXFX100N25
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
560W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18304 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX100N25
IXFX100N25 Elektroniska komponenter
IXFX100N25 Försäljning
IXFX100N25 Leverantör
IXFX100N25 Distributör
IXFX100N25 Datatabell
IXFX100N25 Foton
IXFX100N25 Pris
IXFX100N25 Erbjudande
IXFX100N25 Lägsta pris
IXFX100N25 Sök
IXFX100N25 Köp av
IXFX100N25 Chip