IXFX100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
Artikelnummer
IXFX100N65X2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
1040W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28275 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX100N65X2
IXFX100N65X2 Elektroniska komponenter
IXFX100N65X2 Försäljning
IXFX100N65X2 Leverantör
IXFX100N65X2 Distributör
IXFX100N65X2 Datatabell
IXFX100N65X2 Foton
IXFX100N65X2 Pris
IXFX100N65X2 Erbjudande
IXFX100N65X2 Lägsta pris
IXFX100N65X2 Sök
IXFX100N65X2 Köp av
IXFX100N65X2 Chip