IXFX80N50P
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
Artikelnummer
IXFX80N50P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
1040W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
197nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51057 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX80N50P
IXFX80N50P Elektroniska komponenter
IXFX80N50P Försäljning
IXFX80N50P Leverantör
IXFX80N50P Distributör
IXFX80N50P Datatabell
IXFX80N50P Foton
IXFX80N50P Pris
IXFX80N50P Erbjudande
IXFX80N50P Lägsta pris
IXFX80N50P Sök
IXFX80N50P Köp av
IXFX80N50P Chip