IXFX66N50Q2
MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247
Artikelnummer
IXFX66N50Q2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
735W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9125pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25002 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX66N50Q2
IXFX66N50Q2 Elektroniska komponenter
IXFX66N50Q2 Försäljning
IXFX66N50Q2 Leverantör
IXFX66N50Q2 Distributör
IXFX66N50Q2 Datatabell
IXFX66N50Q2 Foton
IXFX66N50Q2 Pris
IXFX66N50Q2 Erbjudande
IXFX66N50Q2 Lägsta pris
IXFX66N50Q2 Sök
IXFX66N50Q2 Köp av
IXFX66N50Q2 Chip