IXFX55N50
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
Artikelnummer
IXFX55N50
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
625W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
330nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33027 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX55N50
IXFX55N50 Elektroniska komponenter
IXFX55N50 Försäljning
IXFX55N50 Leverantör
IXFX55N50 Distributör
IXFX55N50 Datatabell
IXFX55N50 Foton
IXFX55N50 Pris
IXFX55N50 Erbjudande
IXFX55N50 Lägsta pris
IXFX55N50 Sök
IXFX55N50 Köp av
IXFX55N50 Chip