IXFX52N60Q2
MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
Artikelnummer
IXFX52N60Q2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
735W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
198nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23352 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX52N60Q2
IXFX52N60Q2 Elektroniska komponenter
IXFX52N60Q2 Försäljning
IXFX52N60Q2 Leverantör
IXFX52N60Q2 Distributör
IXFX52N60Q2 Datatabell
IXFX52N60Q2 Foton
IXFX52N60Q2 Pris
IXFX52N60Q2 Erbjudande
IXFX52N60Q2 Lägsta pris
IXFX52N60Q2 Sök
IXFX52N60Q2 Köp av
IXFX52N60Q2 Chip