IXFX360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
Artikelnummer
IXFX360N10T
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™ HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
1250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
360A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
525nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
33000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47954 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX360N10T
IXFX360N10T Elektroniska komponenter
IXFX360N10T Försäljning
IXFX360N10T Leverantör
IXFX360N10T Distributör
IXFX360N10T Datatabell
IXFX360N10T Foton
IXFX360N10T Pris
IXFX360N10T Erbjudande
IXFX360N10T Lägsta pris
IXFX360N10T Sök
IXFX360N10T Köp av
IXFX360N10T Chip