IXFX32N90P
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
Artikelnummer
IXFX32N90P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
960W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9342 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX32N90P
IXFX32N90P Elektroniska komponenter
IXFX32N90P Försäljning
IXFX32N90P Leverantör
IXFX32N90P Distributör
IXFX32N90P Datatabell
IXFX32N90P Foton
IXFX32N90P Pris
IXFX32N90P Erbjudande
IXFX32N90P Lägsta pris
IXFX32N90P Sök
IXFX32N90P Köp av
IXFX32N90P Chip