IXFX32N80P
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
Artikelnummer
IXFX32N80P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
830W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9017 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX32N80P
IXFX32N80P Elektroniska komponenter
IXFX32N80P Försäljning
IXFX32N80P Leverantör
IXFX32N80P Distributör
IXFX32N80P Datatabell
IXFX32N80P Foton
IXFX32N80P Pris
IXFX32N80P Erbjudande
IXFX32N80P Lägsta pris
IXFX32N80P Sök
IXFX32N80P Köp av
IXFX32N80P Chip