IXFX32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
Artikelnummer
IXFX32N100Q3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
1250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9940pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23469 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX32N100Q3
IXFX32N100Q3 Elektroniska komponenter
IXFX32N100Q3 Försäljning
IXFX32N100Q3 Leverantör
IXFX32N100Q3 Distributör
IXFX32N100Q3 Datatabell
IXFX32N100Q3 Foton
IXFX32N100Q3 Pris
IXFX32N100Q3 Erbjudande
IXFX32N100Q3 Lägsta pris
IXFX32N100Q3 Sök
IXFX32N100Q3 Köp av
IXFX32N100Q3 Chip