IXFX26N90
MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
Artikelnummer
IXFX26N90
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
560W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33247 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX26N90
IXFX26N90 Elektroniska komponenter
IXFX26N90 Försäljning
IXFX26N90 Leverantör
IXFX26N90 Distributör
IXFX26N90 Datatabell
IXFX26N90 Foton
IXFX26N90 Pris
IXFX26N90 Erbjudande
IXFX26N90 Lägsta pris
IXFX26N90 Sök
IXFX26N90 Köp av
IXFX26N90 Chip