IXFX26N100P
MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
Artikelnummer
IXFX26N100P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
780W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
197nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40842 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX26N100P
IXFX26N100P Elektroniska komponenter
IXFX26N100P Försäljning
IXFX26N100P Leverantör
IXFX26N100P Distributör
IXFX26N100P Datatabell
IXFX26N100P Foton
IXFX26N100P Pris
IXFX26N100P Erbjudande
IXFX26N100P Lägsta pris
IXFX26N100P Sök
IXFX26N100P Köp av
IXFX26N100P Chip