IXFX24N100
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
Artikelnummer
IXFX24N100
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
560W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
267nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46718 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX24N100
IXFX24N100 Elektroniska komponenter
IXFX24N100 Försäljning
IXFX24N100 Leverantör
IXFX24N100 Distributör
IXFX24N100 Datatabell
IXFX24N100 Foton
IXFX24N100 Pris
IXFX24N100 Erbjudande
IXFX24N100 Lägsta pris
IXFX24N100 Sök
IXFX24N100 Köp av
IXFX24N100 Chip