IXFX21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247
Artikelnummer
IXFX21N100Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21512 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX21N100Q
IXFX21N100Q Elektroniska komponenter
IXFX21N100Q Försäljning
IXFX21N100Q Leverantör
IXFX21N100Q Distributör
IXFX21N100Q Datatabell
IXFX21N100Q Foton
IXFX21N100Q Pris
IXFX21N100Q Erbjudande
IXFX21N100Q Lägsta pris
IXFX21N100Q Sök
IXFX21N100Q Köp av
IXFX21N100Q Chip