IXFX210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247
Artikelnummer
IXFX210N17T
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
1150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
170V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
285nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
18800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15314 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX210N17T
IXFX210N17T Elektroniska komponenter
IXFX210N17T Försäljning
IXFX210N17T Leverantör
IXFX210N17T Distributör
IXFX210N17T Datatabell
IXFX210N17T Foton
IXFX210N17T Pris
IXFX210N17T Erbjudande
IXFX210N17T Lägsta pris
IXFX210N17T Sök
IXFX210N17T Köp av
IXFX210N17T Chip