Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFX20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
Artikelnummer
IXFX20N80Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28224 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX20N80Q
IXFX20N80Q Elektroniska komponenter
IXFX20N80Q Försäljning
IXFX20N80Q Leverantör
IXFX20N80Q Distributör
IXFX20N80Q Datatabell
IXFX20N80Q Foton
IXFX20N80Q Pris
IXFX20N80Q Erbjudande
IXFX20N80Q Lägsta pris
IXFX20N80Q Sök
IXFX20N80Q Köp av
IXFX20N80Q Chip