IXFX20N120
MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFX20N120
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
780W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21011 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX20N120
IXFX20N120 Elektroniska komponenter
IXFX20N120 Försäljning
IXFX20N120 Leverantör
IXFX20N120 Distributör
IXFX20N120 Datatabell
IXFX20N120 Foton
IXFX20N120 Pris
IXFX20N120 Erbjudande
IXFX20N120 Lägsta pris
IXFX20N120 Sök
IXFX20N120 Köp av
IXFX20N120 Chip