IXFX170N20T
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
Artikelnummer
IXFX170N20T
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
1150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
265nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
19600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17170 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX170N20T
IXFX170N20T Elektroniska komponenter
IXFX170N20T Försäljning
IXFX170N20T Leverantör
IXFX170N20T Distributör
IXFX170N20T Datatabell
IXFX170N20T Foton
IXFX170N20T Pris
IXFX170N20T Erbjudande
IXFX170N20T Lägsta pris
IXFX170N20T Sök
IXFX170N20T Köp av
IXFX170N20T Chip