IXFX160N30T
MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247
Artikelnummer
IXFX160N30T
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
1390W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
335nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
28000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14597 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX160N30T
IXFX160N30T Elektroniska komponenter
IXFX160N30T Försäljning
IXFX160N30T Leverantör
IXFX160N30T Distributör
IXFX160N30T Datatabell
IXFX160N30T Foton
IXFX160N30T Pris
IXFX160N30T Erbjudande
IXFX160N30T Lägsta pris
IXFX160N30T Sök
IXFX160N30T Köp av
IXFX160N30T Chip