IXFX12N90Q
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247
Artikelnummer
IXFX12N90Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PLUS247™-3
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44343 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFX12N90Q
IXFX12N90Q Elektroniska komponenter
IXFX12N90Q Försäljning
IXFX12N90Q Leverantör
IXFX12N90Q Distributör
IXFX12N90Q Datatabell
IXFX12N90Q Foton
IXFX12N90Q Pris
IXFX12N90Q Erbjudande
IXFX12N90Q Lägsta pris
IXFX12N90Q Sök
IXFX12N90Q Köp av
IXFX12N90Q Chip